当前，随着半导体技术不断微缩，先进的集成电路器件已从平面向三维结构转变，集成电路制造工艺正变得越来越复杂，往往需要经过几百甚至上千道的工艺步骤。对于先进的半导体器件制造，每经过一道工艺，硅片表面都会或多或少的存在颗粒污染物、金属残留或有机物残留等，器件特征尺寸的不断缩小和三维器件结构的日益复杂性，使得半导体器件对颗粒污染、杂质浓度和数量越来越敏感。
对硅晶元上掩模表面的污染微粒的清洗技术提出了更高的要求，其关键点在于克服污染微颗粒与基材之间极大的吸附力，目前很多半导体厂家的清洗方式都是酸洗、人工擦拭，效率慢不说，还会产生二次污染。那目前什么样的清洗方式比较适合在半导体产品上的清洗呢?激光清洗是目前来说比较合适的一种方式，当激光扫描过去，材料表面的污垢都被清除，而且对于缝隙中的污垢都可以轻松得去除，不会刮花材料表面，也不会产生二次污染，是一种放心的选择。
另外，随着集成电路器件尺寸持续缩小，清洗工艺过程中的材料损失和表面粗糙度成为必须关注的问题，将微粒去除而又没有材料损失和图形损伤是最基本的要求，激光清洗技术具有非接触性、无研磨的特性，不会对基材表面产生损伤，不会产生二次污染，是解决半导体器件污染最佳的清洗方法。
